达州高价回收此型号CSD25402Q3A 电容电阻

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产品属性	属性值	搜索类似
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSONP-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	76 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	650 mV
Qg-栅极电荷:	7.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
工作温度:	+ 125 C
Pd-功率耗散:	69 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
封装:	Reel
配置:	Single
高度:	0.9 mm
长度:	3.15 mm
系列:	CSD25402Q3A
晶体管类型:	1 P-Channel Power MOSFET
宽度:	3 mm
商标:	Texas Instruments
下降时间:	12 ns
产品类型:	MOSFET
上升时间:	7 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	MOSFETs
典型关闭延迟时间:	25 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	27.800 mg

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