文山高价回收此型号IRFP4768PBF钽电容

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产品属性	属性值	搜索类似
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	250 V
Id-连续漏极电流:	93 A
Rds On-漏源导通电阻:	17.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.8 V
Qg-栅极电荷:	180 nC
工作温度:	- 55 C
工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	520 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
配置:	Single
高度:	20.7 mm
长度:	15.87 mm
晶体管类型:	1 N-Channel
宽度:	5.31 mm
商标:	Infineon / IR
正向跨导 - 值:	100 S
下降时间:	110 ns
产品类型:	MOSFET
上升时间:	160 ns
工厂包装数量:	400
子类别:	MOSFETs
典型关闭延迟时间:	57 ns
典型接通延迟时间:	36 ns
单位重量:	38 g

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