MOS(场效应管)IRF3710PBF 
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss） 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时） 57A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 23mΩ @ 28A,10V
ZUIDA功率耗散（Ta=25°C） 200W
类型 N沟道

MOS(场效应管)IRF3710PBF 
MOS(场效应管)IRF3710PBF 
深圳市信德尔电子技术是多家国际半导体厂商在中国的供应商,目前致力于为广大产业伙伴提供全方位配套技术服务。

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