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HGT1S10N120BNST 晶体管 - UGBT

供应HGT1S10N120BNST 晶体管 - UGBT
供应HGT1S10N120BNST 晶体管 - UGBT
  • 型号/规格:

    HGT1S10N120BNST

  • 品牌/商标:

    ON

  • 封装:

    TO263

  • 批号:

    21+

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    1200 V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35 A

  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):

    80 A

  • 功率 - 最大值:

    298 W

普通会员
  • 企业名:深圳市唯有度科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 17775107326

    手机:13418959171

    联系人:

    QQ: QQ:3365492757

    邮箱:3365492757@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北路赛格广场27楼2711室

商品信息

HGT1S10N120BNST详细参数:

参数名称参数值Source Content uidHGT1S10N120BNSTBrand NameFairchild Semiconductor是否无铅 不含铅是否Rohsren证 符合生命周期Transferred零件包装代码D2PAK包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数2制造商包装代码2LD,TO263, SURFACE MOUNTReach Compliance Codenot_compliantECCN代码EAR99HTS代码8541.29.00.95风险等级5.25Samacsys Description1200V, NPT IGBTSamacsys ManufacturerON Semiconductor其他特性LOW CONDUCTION LOSS外壳连接COLLECTORzui大集电极电流 (IC)35 A集电极-发射极zui大电压1200 V配置SINGLEzui大降落时间(tf)200 ns门极-发射极zui大电压20 VJEDEC-95代码TO-263ABJESD-30 代码R-PSSO-G2JESD-609代码e3湿度敏感等级1元件数量1端子数量2zui高工作温度150 °C封装主体材料PLASTIC/EPOXY封装形状RECTANGULAR封装形式SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度)260极性/信道类型N-CHANNELzui大功率耗散 (Abs)298 Wren证状态Not Qualifiedzui大上升时间(tr)15 ns子类别Insulated Gate BIP Transistors表面贴装YES端子面层Matte Tin (Sn)端子形式GULL WING端子位置SINGLE处于峰值回流温度下的zui长时间NOT SPECIFIED晶体管应用MOTOR CONTROL晶体管元件材料SILICON标称断开时间 (toff)330 ns标称接通时间 (ton)32 ns

HGT1S10N120BNST供应商介绍

深圳市唯有度科技有限公司,是一家ZHUAN业的电子元器件代理分销商,公司主营模拟器件,致力于赛灵思(XILINX)、阿特拉(ALTERA)、亚德诺半导体(ADI)、美信(MAXIM)、德州仪器(TI)、赛普拉斯(CYPRESS)的推广与销售,产品广泛应用于jun工科研,航空航天,雷达通信,工业控制,射频微波,医疗器械,智能家居,激光设备等领域,在电子元器件行业里已拥有十多年的销售经验,在业内赢得了良好的声誉和客户的认可。同时我公司长期备有大量现货,接受订货,渠道正规,每片均来自原厂代理渠道,货源直接、品种齐全、价格合理,“质量di一、信誉di一”是我公司一贯宗旨。未来,我们将:“不忘初心,用芯服务”的理念,服务于各路分销商及终端客户,我们愿意真诚的与国内外新老客户及同行在电子行业里共同发展。

HGT1S10N120BNST仓库展示


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企业名:深圳市唯有度科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

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