原厂原装MT41K256M16TW-107 IT:P全新 LPDDR3

MT41K256M16TW-107 IT:P 工业级

MT41K256M16TW-107 IT:P（托盘：1368一盘）

MT41K256M16TW-107 IT:P TR（卷带：2000一包）

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb（256M x 16） 并联 933 MHz 20 ns 96-FBGA（8x14）

 

MT41K256M16TW-107 IT:P全新 LPDDR3的技术参数：

FBGA 编号  ：  D9SHG

Data Rate  ：  DDR3-1866

存储器类型  ：  易失    

存储器格式  ：  DRAM

技术  ：  SDRAM - DDR3L

存储容量  ：  4Gb（256M x 16）

存储器接口  ：  并联

时钟频率  ：  933 MHz

访问时间  ：  20 ns

电压 - 供电  ：  1.283V ~ 1.45V

工作温度  ：  -40°C ~ 95°C（TC）

安装类型  ：  表面贴装型

封装/外壳  ：  96-TFBGA

供应商器件封装  ：  96-FBGA（8x14）

RoHS 状态  ： 符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 (MSL)  ：  3（168 小时）

REACH 状态  ：  非 REACH 产品

ECCN  ：  3A991B1A

HTSUS  ：  8542.32.0036

 

 

MT41K256M16TW-107 IT:P全新 LPDDR3的特征：

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications

• Differential bidirectional data strobe

• 8n-bit prefetch architecture

• Differential clock inputs (CK, CK#)

• 8 internal banks

• Nominal and dynamic on-die termination (ODT)

for data, strobe, and mask signals

• Programmable CAS (READ) latency (CL)

• Programmable posted CAS additive latency (AL)

• Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)

• Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4

(via the mode register set [MRS])

• Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)

• Self refresh mode

• TC of 105°C

– 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

– 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C

– 16ms, 8192-cycle refresh at >95°C to 105°C

• Self refresh temperature (SRT)

• Automatic self refresh (ASR)

• Write leveling

• Multipurpose register

• Output driver calibration

 

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