原装FM25W256-GTR  铁电存储器(FRAM)

256-Kbit (32K × 8) Serial (SPI) F-RAM

IC FRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC

FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 256Kb（32K x 8） SPI 20 MHz 8-SOIC

 

原装FM25W256-GTR  铁电存储器(FRAM)的技术参数：

类别 存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 F-RAM™

存储器类型 非易失

存储器格式 FRAM

技术 FRAM（铁电体 RAM）

存储容量 256Kb（32K x 8）

存储器接口 SPI

时钟频率 20 MHz

电压 - 供电 2.7V ~ 5.5V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOIC

基本产品编号 FM25W256

RoHS 状态 符合 ROHS3 规范

湿气敏感性等级 (MSL)    3（168 小时）

REACH 状态 非 REACH 产品

ECCN EAR99

HTSUS 8542.32.0071

 

原装FM25W256-GTR  铁电存储器(FRAM)的描述：

该FM25W256是一个256千位非易失性存储器采用先进的铁电过程。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并执行类似于RAM的读写。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

 

与串行闪存和EEPROM不同，FM25W256在总线速度下执行写入操作。不产生写入延迟。在每个字节成功传输到设备之后，数据立即写入存储器阵列。

下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有很大的写入耐久性。FM25W256能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1亿倍的写入周期。

 

这些功能使FM25W256理想的非易失性存储器应用需要频繁或快速写入。示例范围从数据收集（其中写入周期的数量可能是关键的）到要求工业控制（其中串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。

FM25W256为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性的好处，作为硬件替换的替代品。FM25W256采用高速SPI总线，提高了FRAM技术的高速写入能力。设备规格保证在工业温度范围为-40°C至+85°C。

企业名：深圳市迅丰达电子科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 13824331138

手机：13824331138

联系人：陈小姐

QQ：

微信：

邮箱：491961368@qq.com

地址：广东深圳赛格广场3504A