H9HCNNNBPUMLHR-NMO 原装 LPDDR4

 

脚位/封装	FBGA-200
制造商	SK HYNIX/海力士
组织	1GX16
无铅/环保	无铅/环保
电压(伏)	1.1 V
温度规格	-40°C~+105°C
速度	1866 MHz
Dram Voltage		1.1V/1.1V,LPDDR4
Nvm Option		None
Dram Density		16Gb, QDP, 2Ch, 2CS
Nvm Speed		none
Package Material		Lead & Halogen Free
Hynix Memory		H
Product Mode		LPDDR4 Only
Generation		1s

 

 

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