K4A8G085WC-BCWE 原装 DDR4 的技术参数：

制造商	SAMSUNG
RoHS	是
容量	8GB
DRAM 类型	DDR4 SDRAM
类别	DRAM 动态随机存储器
工作电压	1.2V
架构	1Gx8
（max）时钟频率	3200 Mbps
工作温度	0°C ~ 85 °C

 

 DDR4 RAM 能否支持各种主板？

实际上，DDR3 几乎兼容所有主板及其插槽，但 DDR4 仅兼容使用英特尔 X99 芯片组和 LGA 2011 处理器插槽的主板

 

能否用 DDR4 代替 DDR3？

DDR3 和 DDR4 互不兼容。两者的物理插槽不同，此外输入电压、引脚数量等参数也不相同。

 

DDR4 是否比 DDR3 更值得配置？

DDR4 是一种设计为比 DDR3 更好、更快、更可靠的替代存储器标准。DDR4 模组 (DIMM) 在外形上与 DDR3 DIMM 极为相似。不同的是，DDR4 具有 288 个引脚，而 DDR3 只有 240 个引脚；DDR4 SO-DIMM 具有 260 个引脚，而 DDR3 只有 204 个。DDR4 的卡入槽口位于不同的位置，边缘连接器类似于轻微弯曲的“V”以方便插入。由于采用这种设计，插入时需要的力度更小，因为在插入模组过程中并非所有的引脚都需要同时啮合。DDR4 模组的能效更高，工作电压仅为 1.2V，而 DDR3 的工作电压为 1.5V 或 1.35V。由于耗电量更低，因此可以节省大量的电力，无需更高的电力和冷却要求即可更加高速地运行。DIMM 密度以 2 GB 起步，可以高达 128 GB，相比 DDR3 只有 512 MB 至 32 GB 的容量实现了巨大飞跃。适用于嵌入式和工业应用的新型 DDR4 模组可实现高达 3200 MT/s 的高速数据传输。例如，DDR4-3200（ATP 公司的新型工业级 DDR4 ）的传输速率比 DDR3-1866（当前较快的 DDR3 版本之一）快 70% 左右，实现了理论峰值性能的巨大提升。

 

全新原包原装可含税（香港可交）

K4UBE3D4AA-MGCL

K4UBE3D4AB-MGCL

K4U6E3S4AA-MGCR

KLMBG2JETD-B041

KLMAG1JETD-B041

KLM8G1GETF-B041

KLM4G1FETE-B041

K4E8E324EB-EGCF

K4E6E304EB-EGCF

K4E6E304EC-EGCG

K4B4G1646E-BCNB

K4A8G165WB-BCRC

MT29F4G08ABAEAWP:E

MT29F2G08ABAGAWP-IT:G

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP:E

MT29F2G08ABAEAH4:E

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

MT53D512M64D4HR-053 WT:D

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