产品属性    属性值
制造商:     onsemi
产品种类:     MOSFET
RoHS:      详细信息
技术:     Si
安装风格:     Through Hole
封装 / 箱体:     TO-3PN-3
晶体管极性:     N-Channel
通道数量:     1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:     500 V
Id-连续漏极电流:     20 A
Rds On-漏源导通电阻:     265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:     - 30 V, %2B 30 V
zui小工作温度:     - 55 C
zui大工作温度:     %2B 150 C
Pd-功率耗散:     277 W
通道模式:     Enhancement
封装:     Tube
商标:     onsemi / Fairchild
配置:     Single
下降时间:     110 ns
正向跨导 - zui小值:     16 S
高度:     20.1 mm
长度:     16.2 mm
产品类型:     MOSFET
上升时间:     150 ns
    30
子类别:     MOSFETs
晶体管类型:     1 N-Channel
类型:     MOSFET
典型关闭延迟时间:     95 ns
典型接通延迟时间:     40 ns
宽度:     5 mm
零件号别名:     FQA18N50V2_NL
单位重量:     4.600 g

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）FQA18N50V2
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV FQA18N50V2
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）FQA18N50V2
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）FQA18N50V2
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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