类别
集成电路（IC）
存储器
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
卷带（TR）
零件状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 异步
存储容量
1Mb（128K x 8）
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
12ns
访问时间
12 ns
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装
32-SOJ
基本产品编号
71124S

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）71124S12YG8
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV71124S12YG8
精度：±0.05PF（A档） ±0.1PF（B档） ±0.25PF（C档） ±0.5%（D档）
±1%（F档） ±2%（G档） ±5%（J档） ±10%（K档）71124S12YG8
±20%（M档） ±+80%-20%（Z档）
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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