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H5TQ2G63FFR-RDC 存储

H5TQ2G63FFR-RDC    存储
H5TQ2G63FFR-RDC    存储
  • 型号/规格:

    H5TQ2G63FFR-RDC

  • 品牌/商标:

    SK Hynix Inc

  • 封装:

    BGA96

  • 批号:

    22+

  • 包装方式:

    卷带编带包装

金牌会员 第 3
  • 企业名:深圳市怡兴业电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82568996

    手机:13828875961

    联系人:赵小姐

    QQ: QQ:3008064856

    微信:

    邮箱:3008079730@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区深南中路佳和大厦b座1202-03

产品分类
商品信息

参数名称 参数值
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1247808464
零件包装代码 BGA
包装说明 TFBGA, BGA96,9X16,32
针数 96
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.36
风险等级 9.56
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST
zui长访问时间 0.195 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH
zui大时钟频率 (fCLK) 933 MHz
I/O 类型 COMMON
交错的突发长度 4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B96
长度 13 mm
内存密度 2147483648 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM
内存宽度 16
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 96
字数 134217728 words
字数代码 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS
zui高工作温度 85 ?C
zui低工作温度
组织 128MX16
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA
封装等效代码 BGA96,9X16,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
电源 1.5 V
ren证状态 Not Qualified
刷新周期 8192
座面zui大高度 1.2 mm
自我刷新 YES
连续突发长度 4,8
zui大待机电流 0.012 A
子类别 DRAMs
zui大压摆率 0.22 mA
zui大供电电压 (Vsup) 1.575 V
zui小供电电压 (Vsup) 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 OTHER
端子形式 BALL
端子节距 0.8 mm
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的zui长时间 NOT SPECIFIED
宽度 7.5 mm

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)H5TQ2G63FFR-RDC
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV H5TQ2G63FFR-RDC
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)H5TQ2G63FFR-RDC
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)H5TQ2G63FFR-RDC
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。

联系方式

企业名:深圳市怡兴业电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82568996

手机:13828875961

联系人:赵小姐

QQ: QQ:3008064856

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邮箱:3008079730@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区深南中路佳和大厦b座1202-03

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