分立半导体产品SI7129DN-T1-GE3产品属性
类型描述选择 
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个  
制造商 Vishay Siliconix  
系列 TrenchFET  
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel 得捷定制卷带  
Product Status 在售  
FET 类型 P 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 30 V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 35A（Tc）  
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（值） 11.4 毫欧 @ 14.4A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（值） 2.8V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（值） 71 nC @ 10 V  
Vgs（值） ?20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（值） 3345 pF @ 15 V  
FET 功能 -  
功率耗散（值） 3.8W（Ta），52.1W（Tc）  
工作温度 -50?C ~ 150?C（TJ）  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 PowerPAK 1212-8  
封装/外壳 PowerPAK 1212-8  
基本产品编号 SI7129 

分立半导体产品SI7129DN-T1-GE3产品图片

分立半导体产品SI7129DN-T1-GE3供应商介绍：

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