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JFE2140DR超低噪声低栅极电流N 沟道 JFET

JFE2140DR超低噪声低栅极电流N 沟道 JFET
JFE2140DR超低噪声低栅极电流N 沟道 JFET
  • 型号/规格:

    JFE2140DR

  • 品牌/商标:

    TI

  • 封装:

    SOIC 8

  • 批号:

    22+

  • 产品类别:

    超低噪声低栅极电流N 沟道 JFET

  • 高跨导:

    30毫秒

  • 低输入电容:

    VDS=5 V时为13 pF

  • 低VG失配:

    4 mV(较大值)

VIP会员 第 2
  • 企业名:深圳市宇集芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28708773

    手机:13430772257

    联系人:肖经理

    QQ: QQ:1475974999

    微信:

    邮箱:xiaozheng1608@163.com

    地址:广东深圳福田区赛格科技园4栋西5B17

产品分类
商品信息

全新原装现货价格优势,更多系列尽在宇集芯电子

JFE2140DR

双路、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET

FE2140是一种毛棕色匹配对离散JFET采用德克萨斯仪器公司的现代高性能模拟双极工艺制造。JFE2140的特点是以前在较旧的分立JFET技术中无法获得的性能。JFE2140在所有电流范围内都具有出色的噪声性能,用户可以将静态电流设置为50μA20 mA。当偏置在5毫安时,该器件产生0.9毫伏/√Hz的输入参考噪声,提供超低噪声性能和极高的输入阻抗(>1 TΩ)。此外,JFET之间的匹配测试为±4 mV,确保差分对配置的低偏移和高共模抑制比性能。JFE2140还具有连接到单独箝位节点的集成二极管,以在不添加高泄漏非线性外部二极管的情况下提供保护。

JFE2140可以承受40 V的高漏极至源极电压,以及低至-40 V的栅极至源极和栅极至漏极电压。规定的温度范围为-40°C+125°C

超低噪音:

电压噪声:

0.9内华达州/√1 kHz时的频率,IDS=5 mA

1.1内华达州/√1 kHz时的频率,IDS=2 mA

当前噪声:1.6 fA/√1 kHz时的频率

VG失配:4 mV大值)

低栅极电流:10 pA大值)

低输入电容:VDS=5 V时为13 pF

高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压:–40 V

高跨导:30毫秒

封装:SOIC2毫米×2毫米WSON

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JFE2140DR

双路、超低噪声、低栅极电流、音频、N 沟道 JFET

FE2140是一种毛棕色™ 匹配对离散JFET采用德克萨斯仪器公司的现代高性能模拟双极工艺制造。JFE2140的特点是以前在较旧的分立JFET技术中无法获得的性能。JFE2140在所有电流范围内都具有出色的噪声性能,用户可以将静态电流设置为50μA至20 mA。当偏置在5毫安时,该器件产生0.9毫伏/√Hz的输入参考噪声,提供超低噪声性能和极高的输入阻抗(>1 TΩ)。此外,JFET之间的匹配测试为±4 mV,确保差分对配置的低偏移和高共模抑制比性能。JFE2140还具有连接到单独箝位节点的集成二极管,以在不添加高泄漏非线性外部二极管的情况下提供保护。

JFE2140可以承受40 V的高漏极至源极电压,以及低至-40 V的栅极至源极和栅极至漏极电压。规定的温度范围为-40°C至+125°C。

超低噪音:

电压噪声:

0.9内华达州/√1 kHz时的频率,IDS=5 mA

1.1内华达州/√1 kHz时的频率,IDS=2 mA

当前噪声:1.6 fA/√1 kHz时的频率

低VG失配:4 mV(大值)

低栅极电流:10 pA(大值)

低输入电容:VDS=5 V时为13 pF

高栅极至漏极和栅极至源极击穿电压:–40 V

高跨导:30毫秒

封装:SOIC,2毫米×2毫米WSON



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企业名:深圳市宇集芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

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