商品详情

制造商: Infineon  
产品种类: MOSFET  
规格型号：IPB072N15N3G
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: TO-263-3  
晶体管极性: N-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 150 V  
Id-连续漏极电流: 100 A  
Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  
Qg-栅极电荷: 70 nC  
工作温度: - 55 C  
工作温度: + 175 C  
Pd-功率耗散: 300 W  
通道模式: Enhancement  
系列: OptiMOS 3  
配置: Single  
下降时间: 14 ns  
正向跨导 - 小值: 65 S  
高度: 4.4 mm  
长度: 10 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 35 ns  
工厂包装数量: 1000 

      

企业名：深圳德泰威尔科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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