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产品种类: MOSFET 供应FDB024N08BL7

产品种类: MOSFET 供应FDB024N08BL7
产品种类: MOSFET 供应FDB024N08BL7
  • 型号/规格:

    FDB024N08BL7

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TO-263-7

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

VIP会员 第 2
  • 企业名:深圳市腾桩电子有限公司

    类型:

    电话: 0755-88607455

    手机:17388749138

    联系人:陈连娣

    QQ: QQ:2851991391

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    邮箱:carrie@tenzhuang.com

    地址:广东深圳福田区群星广场A座3213室

商品信息

型号:FDB024N08BL7

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公司始终坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则,将产品质量和客户利益放在位,腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装,对货物所涉及的各个环节严格把关。保证货物质量是我们的首要任务,降低客户成本是我们的永远追求。
我司拥有多年的厂家配套经验,承接各类客户生产需求的采购货单配套,诚实守信,欢迎来电咨询!我们都以100%的热情为您真诚服务。

型号:FDB024N08BL7

公司坚持以“诚实守信.薄利多销”为原则,将产品质量和客户利益放在首位,腾桩电子向客户所提供的元器件确保是100%原装,对货物所涉及的各个环节严格把关。货物质量是我们的首要任务,降低客户成本是我们的追求。

型号:FDB024N08BL7

型号:FDB024N08BL7

产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 229 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 137 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 246 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDB024N08BL7
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 41 ns
正向跨导 - 小值: 227 S
高度: 4.7 mm
长度: 10.2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 66 ns
800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 47 ns
宽度: 9.4 mm
单位重量: 1.600 g


型号:FDB024N08BL7

联系方式

企业名:深圳市腾桩电子有限公司

类型:

电话: 0755-88607455

手机:17388749138

联系人:陈连娣

QQ: QQ:2851991391

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