NVH820S75L4SPB IGBT 模块

型号/规格：
NVH820S75L4SPB IGBT
品牌/商标：
NVH820S75L4SPB IGBT
封装：
X2QFN-12
批号：
TUSB211QRWBRQ1
逻辑系列：
VHC
最小工作温度：
- 55 C

发布询价信息

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类型：

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商品信息

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 6-Pack
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 750 V
集电极—射极饱和电压: 1.3 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 500 uA
Pd-功率耗散: 1 kW
封装 / 箱体: 183AB
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 175 C
封装: Tray
商标: onsemi
栅极/发射极zui大电压: 20 V
安装风格: SMD/SMT
产品类型: IGBT Modules
4
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: VE-Trac
单位重量: 1.289 kg

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 6-Pack
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 750 V
集电极—射极饱和电压: 1.3 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 500 uA
Pd-功率耗散: 1 kW
封装 / 箱体: 183AB
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 175 C
封装: Tray
商标: onsemi
栅极/发射极zui大电压: 20 V
安装风格: SMD/SMT
产品类型: IGBT Modules
4
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: VE-Trac
单位重量: 1.289 kg

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 6-Pack
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 750 V
集电极—射极饱和电压: 1.3 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 500 uA
Pd-功率耗散: 1 kW
封装 / 箱体: 183AB
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 175 C
封装: Tray
商标: onsemi
栅极/发射极zui大电压: 20 V
安装风格: SMD/SMT
产品类型: IGBT Modules
4
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: VE-Trac
单位重量: 1.289 kg

制造商: onsemi
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: 6-Pack
集电极—发射极zui大电压 VCEO: 750 V
集电极—射极饱和电压: 1.3 V
在25 C的连续集电极电流: 600 A
栅极—射极漏泄电流: 500 uA
Pd-功率耗散: 1 kW
封装 / 箱体: 183AB
zui小工作温度: - 40 C
zui大工作温度: %2B 175 C
封装: Tray
商标: onsemi
栅极/发射极zui大电压: 20 V
安装风格: SMD/SMT
产品类型: IGBT Modules
4
子类别: IGBTs
技术: Si
商标名: VE-Trac
单位重量: 1.289 kg
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