2SB861 TO-263 PNP功率晶体管

2SB861he心参数

• 电压与电流能力：
  集电极 - 发射极电压（VCEO）达 - 150V（zui小值），适用于 150V 以下中高压电路；集电极电流（IC）zui大 - 2A（连续），峰值电流 - 4A，满足中小功率音频放大及高压开关需求。
• 功率耗散：
  在 25℃环境温度下，安装标准散热片时功率耗散（PD）为 30W；无散热片时功率耗散需限制在 1.5W 以内。
• 直流电流增益（hFE）：
  在 IC=-1A、VCE=-10V 条件下，hFE zui小值为 50，典型值 80-140，分为 O（50-80）、Y（80-140）两个等级，可稳定实现高保真音频放大。
• 饱和压降：
  集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）为 - 1.2V，比传统音频晶体管降低约 20%，显著减少导通损耗。
• 工作温度：
  -55℃至 %2B 150℃宽温范围，适应工业环境及消费电子应用。
• 结构设计：
  采用平面外延工艺优化线性度，环氧树脂外壳符合 UL94V-0 阻燃标准。

2SB861产品特性

1. 高电压音频放大与中高压开关能力
   VCEO 达 - 150V，特别适合 150V 以下音频功率放大及中高压开关应用，如zhuan业音响、工业控制模块。集电极电流 - 2A（连续）、-4A（峰值），支持直接驱动 8Ω/50W 扬声器负载，满足高保真音质需求。其高电流增益（hFE 典型值 80-140）可有效降低前级驱动电路复杂度，简化设计。
2. 低饱和压降与高效散热
   VCE (sat) zui大值 - 1.2V（@-1A），在大电流导通时功耗显著降低。例如，在 24V/-2A 电源中可减少约 2.4W 功耗，提升系统效率。TO-220 封装集成大面积金属散热片，热阻 RθJC=3.8℃/W（结到壳），支持直接焊接至 PCB 铜箔或散热器，散热效率比普通 TO-92 提升 50%。
3. 高可靠性与宽温适应性
   采用环氧树脂封装，抗机械冲击能力强；符合 RoHS 标准，无铅化工艺兼容现代绿色电子制造需求。-55℃至 %2B 150℃工作温度范围，可适应极端工业环境及消费电子设备中的温度波动。
4. 内置二极管保护
   集成反向并联集电极 - 发射极二极管，无需外部续流二极管即可保护电路免受感性负载产生的反向电压冲击，简化设计并降低成本。

2SB861典型应用

• 音频功率放大器：作为乙类或甲乙类放大器的输出级，驱动扬声器实现高保真音质，支持 12-150V 供电系统，适用于家庭音响、zhuan业舞台设备等。
• 中高压开关电源：在反激式或正激式开关电源中作为次级开关元件，配合 PWM 控制器实现高效功率转换，典型应用于工业设备电源和医疗设备。
• 电机驱动模块：作为低侧开关驱动小型高压直流电机或步进电机，通过 PWM 控制实现速度调节，尤其适合 150V 以下供电的自动化设备。
• 工业控制信号放大：在 PLC（可编程逻辑控制器）中作为信号放大与隔离元件，控制高压继电器、电磁阀等高负载设备，确保工业系统稳定运行。

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