MUN2235 是集成基极偏置电阻的 NPN 型晶体管，采用 SOT-23-3 封装，内置2.2kΩ 基极串联电阻（R1）和 47kΩ 基极 - 发射极并联电阻（R2），可直接与逻辑信号接口，显著简化电路设计复杂度。其集电极电流（Ic）可达100mA，集电极 - 发射极电压（VCEO）为50V，适用于中小功率开关、逻辑控制及信号调理等场景，广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
高集成度与精准偏置
内置 2.2kΩ 基极串联电阻（R1）和 47kΩ 基极 - 发射极并联电阻（R2），无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号，显著减少元件数量和 PCB 空间占用。典型直流电流增益（hFE）zui小值为80，适用于需要稳定增益的开关控制场景。
宽工作范围与可靠性
- 集电极 - 发射极电压（VCEO）：50V
- 集电极电流（Ic）：100mA（连续）
- 工作温度范围：-55℃至 %2B 150℃，适应极端环境下的长期运行。
- 采用先进半导体工艺，集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）低至0.25V，确保高效信号传输。
- 集电极截止电流（ICEO）仅500nA，有效降低漏电流干扰。
- 消费电子：手机、平板电脑的电源管理电路、背光控制及逻辑信号反转（NPN 特性）。
- 工业控制：PLC 输入输出模块、电机驱动电路的低电平触发开关控制，尤其适用于需兼容负电源的工业设备。
- 通信设备：基站射频模块、光纤通信接口的电平转换与信号调理。
- 办公设备：打印机、扫描仪的驱动电路及逻辑控制单元，支持 3.3V/5V 混合信号系统。
- 汽车电子：车载信息娱乐系统、传感器接口及低功耗控制电路。
| 参数 | 符号 | 标准型 | 单位 |
|---|
| 集电极 - 发射极电压 | VCEO | 50 | V |
| 集电极电流 | Ic | 100 | mA |
| 基极 - 发射极电压 | VBE | 1.4 | V |
| 直流电流增益 | hFE | ≥80 | - |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | VCE(sat) | 0.25 | V |
| 工作温度范围 | Tj | -55~%2B150 | ℃ |
| 封装尺寸（长 ? 宽 ? 高） | - | 2.9?1.65?1.10 | mm |
| 内置基极电阻 | R1 | 2.2kΩ | - |
| 内置基极 - 发射极电阻 | R2 | 47kΩ | - |
| 功率耗散 | Pd | 246 | mW |
| 集电极截止电流 | ICEO | ≤500 | nA |
| 发射极 - 基极截止电流 | IEBO | ≤1.9 | mA |
| 输入电压范围 | Vin | -20~%2B5 | V |
| 过渡频率 | Ft | 200 | MHz |
- 焊接工艺：建议采用回流焊，焊接温度控制在260℃以内，避免元件过热损坏。焊接时需注意 SOT-23 封装的热阻特性，确保散热良好。
- 存储条件：干燥环境（湿度≤60%），避免直接暴露于高温或腐蚀性气体中，存储温度范围为 - 55℃至 %2B 150℃。
- 电路设计：
- 使用前需确认电路参数，确保不超过元件的zui大额定值（如 VCEO、Ic）。由于内置 47kΩ 基极 - 发射极电阻（R2），需注意其对偏置电路的影响，尤其在截止状态下的漏电流控制。
- 实际应用中，建议集电极电流不超过50mA以确保长期可靠性，尤其在驱动感性负载时需配合续流二极管。
MUN2235 凭借其高集成度、宽输入电压兼容性和低饱和电压特性，成为中小功率电子电路的理想选择
