DTA115E 是集成基极分压电阻的 PNP 型晶体管，采用 SOT-23-3 封装（尺寸 2.9mm?1.65mm?1.10mm），内置100kΩ%2B100kΩ 对称分压电阻网络，无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号。其集电极电流（Ic）可达100mA，集电极 - 发射极电压（VCEO）为50V，适用于中小功率开关、逻辑控制及信号调理等场景，广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
对称分压与高输入阻抗设计
内置 100kΩ%2B100kΩ 对称分压电阻网络，相较于不对称型号，可在更宽输入电压范围下实现稳定偏置。典型直流电流增益（hFE）zui小值为82（@5mA, 5V），适用于需要高输入阻抗的信号放大或驱动场景。
宽工作范围与可靠性
- 集电极 - 发射极电压（VCEO）：50V
- 集电极电流（Ic）：100mA（连续）
- 工作温度范围：-55℃至 %2B 150℃，适应极端环境下的长期运行。
- 采用先进半导体工艺，集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）低至0.3V（@5mA 集电极电流），确保高效信号传输。
- 集电极截止电流（ICEO）仅500nA，有效降低漏电流干扰；发射极 - 基极截止电流（IEBO）为0.1mA，需在电路设计中关注漏电流控制。
- 过渡频率（Ft）达250MHz，支持高频信号处理。
超宽输入电压兼容性支持 **-40V 至 %2B 10V 的逻辑电平输入 **，可直接匹配 TTL/CMOS 逻辑信号，尤其适用于需兼容负电源的工业设备。在负电源系统中，输入电压范围为 - 40V 至 - 0.5V
| 参数 | 符号 | 标准型 | 单位 |
|---|
| 集电极 - 发射极电压 | VCEO | 50 | V |
| 集电极电流 | Ic | 100 | mA |
| 基极 - 发射极电压 | VBE | 0.7 | V |
| 直流电流增益 | hFE | ≥82（zui小值） | - |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | VCE(sat) | 0.3 | V |
| 工作温度范围 | Tj | -55~%2B150 | ℃ |
| 封装尺寸（长 ? 宽 ? 高） | - | 2.9?1.65?1.10 | mm |
| 内置基极电阻 | R1 | 100kΩ | - |
| 内置发射极 - 基极电阻 | R2 | 100kΩ | - |
| 功率耗散 | Pd | 200（TA=25℃） | mW |
| 集电极截止电流 | ICEO | ≤500 | nA |
| 发射极 - 基极截止电流 | IEBO | ≤0.1 | mA |
| 输入电压范围 | Vin | -40~%2B10（正电压） | V |
| 过渡频率 | Ft | 250 | MHz |
- 消费电子：手机、平板电脑的电源管理电路、背光控制及逻辑信号反转（PNP 特性）。
- 工业控制：PLC 输入输出模块、电机驱动电路的低电平触发开关控制，尤其适用于需兼容负电源的工业设备（如机床控制单元）。
- 通信设备：基站射频模块、光纤通信接口的电平转换与信号调理，支持负电源系统的通信设备。
- 办公设备：打印机、扫描仪的驱动电路及逻辑控制单元，支持 3.3V/5V 混合信号系统。
- 汽车电子：非关键车载电路（如辅助照明控制），建议优先选择通过 AEC-Q101 ren证的替代型号（如 DTA115EMFHAT2L 系列）用于引擎控制模块等关键场景。
- 封装形式：SOT-23-3（3 引脚）
- 引脚功能：
- 引脚 1（基极 B）：控制信号输入
- 引脚 2（发射极 E）：低电平参考。
- 引脚 3（集电极 C）：输出信号或负载连接
