RV1C001ZPT2L ROHM VML0806 场效应管(MOSFET) 原装现货 长期可供

产品概述：RV1C001ZPT2L 概述 RV1C001ZPT2L 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，采用表面贴装(SMD)封装，具有出色的电气特性和可靠性，专为各种现代电子应用设计。该产品来自zhi名半导体制造商 ROHM(罗姆)，在行业内以其优质和创新技术深受认可。 主要技术参数 安装类型: 该产品为表面贴装型(SMD)，便于在自动化生产线大规模组装，优化了 PCB 的设计空间，提高了组件密度。 导通电阻: 在 Vgs 为 4.5V、Id 为 100mA 的条件下，zui大导通电阻 Rds(on) 为 3.8Ω。这一特性确保了在正常运行时，MOSFET 具有低损耗和高效能，降低了发热量，从而提高了系统的整体效率。 推荐驱动电压: RV1C001ZPT2L ROHM的驱动电压范围为 1.2V 至 4.5V，支持灵活的控制逻辑，有助于简化电路设计。这使得该 MOSFET 能够与多种逻辑电平兼容，适应不同的驱动需求。 漏极电流: 该器件在环境温度为 25?C 时，可连续承受 100mA 的漏极电流。这一特性使其适合用于多种中小功率应用，包括负载开关、高速开关及电源管理。 工作电压: RV1C001ZPT2L ROHM的漏源电压（Vdss）为 20V，适合在低压环境下安全工作，特别适合那些对电压敏感的应用领域，如便携式设备、LED 驱动及低压电源转换等。 输入电容: 在 Vds 为 10V 的条件下，zui大输入电容（Ciss）为 15pF。这降低了开关时的延迟，有助于提升开关频率，对高频应用表现优越。 阈值电压（Vgs(th)）: RV1C001ZPT2L 在 100?A 时的zui大阈值电压为 1V，能够在较低的门电压下启动，提高了电路的灵敏度，适合于低功耗的控制和开关应用。 功率耗散: 本产品的功率耗散zui大值为 100mW，适合一些功率要求不高的电子电路，确保 MOSFET 在运行过程中保持安全温度。 工作温度: 该 MOSFET 的工作温度范围为 -40?C 至 150?C，具备在极端环境下工作的能力，非常适用于汽车电子、工业控制和消费电子等应用。 应用场景 RV1C001ZPT2L ROHM适合广泛的应用场合，如： 电源管理：稳压电源、DC-DC 转换器中用作开关元件。 负载开关：用作电源切换开关，控制设备的开/关操作。 驱动电路：在 LED 驱动、马达控制中，可以有效地控制功率输出。 消费电子：作为小型电器和便携设备的控制开关，提升系统的运行效率。

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