贴片型
PBR951
硅(Si)
国产
微波
企业名：北京鼎霖电子科技有限公司
类型：其他
电话： 8601052383983
手机：13466592802
地址：广东广州中国北京北京市旧宫西路93号
PBR951NPNTRANSISTOR (NPN)
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
简述： |
本芯片采用硅外延工艺制造；具有高功率增益放大以及低噪声系数特性,具有较宽的动态范围，低失真，理想的电流线性；
主要应用于无线遥控、无线通讯、MATV、CATV放大和RF通信用户设备上；
其基本性能指标等同于PHILIPS公司的PBR951、BFR93（A）、BFR520等产品；
封装形式：SOT-23；
集电极-基极击穿电压：BVCBO=20V，集电极电流：IC=100mA；集电极功率：PC=500mW,特征频率：fT=7GHz。
极限参数（Tamb=25℃）： | |||
参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
集电极-基极击穿电压 | BVCBO | 20 | V |
集电极-发射极击穿电压 | BVCES | 10 | V |
发射极-基极击穿电压 | BVEBO | 1.5 | V |
集电极电流 | IC | 100 | mA |
耗散功率 | PT | 500 | mW |
结温 | TJ | 150 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -65～ 150 | ℃ |
电参数及规格（Tamb=25℃）： | ||||||
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 额定值 | 单位 | ||
值 | 典型值 | 值 | ||||
集电极-基极击穿电压 | BVCBO | IC=0.1mA, IE=0 | 20 | - | - | V |
集电极-发射极击穿电压 | BVCES | IC=0.1mA, IB=0 | 10 | - | - | V |
发射极-基极击穿电压 | BVEBO | IE=0.01mA, IC=0 | 1.5 | - | - | V |
集电极截止电流 | ICBO | VCB=10V,IE=0 | - | - | 100 | nA |
直流电流放大系数 | hFE | VCE=6V,IC=5mA | 50 | 100 | 200 |
|
VCE=6V,IC=15mA | - | 100 | - |
| ||
反馈电容 | Cre | IC=0,VCE=6V,f=1MHz | - | 0.4 | - | PF |
特征频率 | fT | VCE=6V,IC=30mA, f=1GHz | - | 8 | - | GHz |
单边功率增益 | GUM | IC=30mA,VCE=6V,f=1GHz | - | 14 | - | dB |
IC=30mA,VCE=6V,f=2GHz | - | 8 | - | dB | ||
噪声系数 | NF | VCE=6V,IC=5mA,f=1GHz | - | 1.3 | - | dB |
VCE=6V,IC=5mA,f=2GHz | - | 2.0 | - | dB | ||
包装信息PACKAGE INFORMATION | ||||
Device | Package | Shipping | Inner Box | Carton |
PBR951 | SOT-23 | 3000/Tape&Reel | 10 Tape&Reel | 6 Inner Box |
MARKING | |
TYPE MUMBER | MARKING GODE |
PBR951 | W2 |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
