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MJ11033G 达林顿晶体管 ON

MJ11033G 达林顿晶体管 ON
MJ11033G 达林顿晶体管 ON
  • 型号/规格:

    MJ11033G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TO-204-2

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 极性:

    PNP型

  • Pd-功率耗散:

    300 W

  • 集电极连续电流:

    50 A

  • 工作温度:

    - 55 ℃

  • 工作温度:

    150 ℃

金牌会员 第 16
  • 企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-23956688
    0755-23956688

    手机:13410226883

    联系人:叶先生/王先生

    QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

    邮箱:Lee@zlxele.com

    地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

产品分类
商品信息 更新时间:2019-01-14

MJ11033G

达林顿晶体管 50A 120V Bipolar Power PNP

High-Current  Complementary Silicon  Power Transistors


MJ11033G High−Current Complementary Silicon Power Transistors are for use  as output devices in complementary general purpose amplifier  applications.


MJ11033G There are two limitations on the power−handling ability

of a transistor: average junction temperature and second

breakdown. Safe operating area curves indicate IC − VCE

limits of the transistor that must be observed for reliable

operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater

dissipation than the curves indicate.


The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 200C; TC is

variable depending on conditions. At high case

temperatures, thermal limitations will reduce the power that

can be handled to values less than the limitations imposed by

second breakdown.


MJ11033G Features

• High DC Current Gain − 

hFE = 1000 (Min) @ IC = 25 Adc

hFE = 400 (Min) @ IC = 50 Adc

• Curves to 100 A (Pulsed)

• Diode Protection to Rated IC

• Monolithic Construction with Built−In Base−Emitter Shunt Resistor

• Junction Temperature to +200C

• Pb−Free Packages are Available*


联系方式

企业名:深圳市中立信电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-23956688
0755-23956688

手机:13410226883

联系人:叶先生/王先生

QQ: QQ:2270672799QQ:3383957101

邮箱:Lee@zlxele.com

地址:广东深圳深圳市福田区彩田路彩虹新都大厦彩荟阁7A室

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