IDT54/74FCT827AT/BT/CT/DT，IDT54/74FCT2高性能CMOS缓冲器

集成设备技术公司。

特征：

共同特点：低输入和输出泄漏（）CMOS功率电平真正的TTL输入输出兼容性VOH=3.3V（类型）容积=0.3V（类型）测量或超过JEDEC标准18规范耐辐射和辐射产品增强版军用产品符合MIL-STD-883，级和DESC上市（双重市场）提供DIP、SOIC、SSOP、QSOP、CERPACK和LCC包

FCT827T的特点：

A、 B、C和D速度等级高驱动输出（-15毫安IOH，48毫安IOL）FCT2827T的特点：A、 B和C速度等级

电阻输出（-15毫安IOH，12毫安IOL Com.）（12毫安，12毫安，1000。）降低系统开关噪声

功能框图

军用和商用温度范围

IDT54/74FCT827AT/BT/CT/DT IDT54/74FCT2827AT/BT/CT827AT/BT/CT型快速CMOS 10位缓冲器Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 Y8 Y9

说明：

FCT827T采用先进的双金属CMOS技术制造。

FCT827T/FCT2827T 10位总线驱动程序为宽数据/地址路径或承载奇偶校验的总线提供高性能总线接口缓冲。10位缓冲区已启用NAND ed输出，以实现的控制灵活性。

所有FCT827T高性能接口系列都是为高容量负载驱动能力而设计的，同时在输入和输出端提供低容量总线负载。所有输入都有钳位二极管接地，所有输出都是为高阻抗状态下的低容量总线负载而设计的。

FCT2827T具有带限流电阻的平衡输出驱动。这提供了低接地弹跳，的下冲和控制输出下降时间，减少了对外部串联终端电阻的需要。FCT2827T parties是FCT827T parties的插件替代品。

IDT54FCT646TEB    Teledyne 泰莱达 e2v    

IDT54FCT646TDB    Teledyne 泰莱达 e2v    

IDT54FCT646CTLB    Teledyne 泰莱达 e2v    

IDT54FCT646CTEB    Teledyne 泰莱达 e2v    

IDT54FCT646CTDB    Teledyne 泰莱达 e2v    

IDT54FCT646ATLB    Teledyne 泰莱达 e2v    

IDT54FCT646ATEB    Teledyne 泰莱达 e2v    

IDT54FCT646ATDB    Teledyne 泰莱达 e2v    

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