FQP70N10产品概述

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQP70N10产品特性

57A, 100V, RDS(on) = 23mΩ（值）@VGS = 10 V, ID = 28.5A栅极电荷低（典型值：85nC)
低 Crss（典型值150pF)
100% 经过雪崩击穿测试
175°C结温额定值"

FQP70N10产品技术参数

数据列表 FQP70N10; TO220B03 Pkg Drawing; 标准包装  50 包装  管件  类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 QFET®

规格

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss） 100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 23 毫欧 @ 28.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 3300pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散（值） 160W (Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商器件封装 TO-220-3

企业名：深圳创芯佳业科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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