益輝科技秉承銳意進取的行動力,我們將不斷提升供應鏈效率，力求做到不斷超越客戶的期盼。

型号特点：

512K ×16低电压，

超低功耗CMOS静态RAM

特点

•高速存取时间：为45nS ， 55ns

• CMOS低功耗运行

- 36毫瓦（典型值）的操作

- 12 μW （典型值） CMOS待机

• TTL兼容接口电平

•单电源供电

– 1.65V--2.2V V

DD

(62WV51216ALL)

– 2.5V--3.6V V

DD

(62WV51216BLL)

•全静态操作：无时钟或刷新

需要

•三态输出

•为上下字节的数据控制

•工业应用温度

•无铅可

描述

该ISSI

IS62WV51216ALL / IS62WV51216BLL是高速度， 8M位静态RAM由16组织为512K字

位。它是使用制造

ISSI的高性能CMOS技术。这再加上高度可靠的工艺

创新的电路设计技术，产量高亮，高性能和低功耗的器件。

当CS1高（取消），或者当CS2为低（取消），或者当CS1为低时， CS2为高和两个LB和UB高，器件处于待机模式

在该功率耗散可以被降低

CMOS输入电平。易内存扩展，通过使用芯片使能提供

和输出使能输入。该低电平有效写使能

（WE）

同时控制写入和读取的存储器。一

数据字节允许字节

（ UB ）

和低位字节（LB）

访问。

该IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL包装

在JEDEC标准的48引脚小型BGA （ 7.2毫米X 8.7毫米）

和44引脚TSOP （II型） 。

 

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