这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压的PowerTrench工艺。它已被优化用于功率管理的应用程序。特点•-15 ， -60 V. řDS （ ON）= 100毫欧@ VGS= –10 VRDS （ ON）= 130毫欧@ VGS= –4.5 V•开关速度快•高性能沟道技术极低RDS （ ON）•高功率和电流处理能力应用•DC / DC转换器•电源管理•负荷开关这60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压的PowerTrench工艺。它已被优化用于功率管理的应用程序。特点•-15 ， -60 V. řDS （ ON）= 100毫欧@ VGS= –10 VRDS （ ON）= 130毫欧@ VGS= –4.5 V•开关速度快•高性能沟道技术极低RDS （ ON）•高功率和电流处理能力应用•DC / DC转换器•电源管理•负荷开关

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