电感线圈的主要特性参数 STM32F413ZGT6
1、电感量 L 
电感量 L 表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。
2、感抗 XL 
电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗 XL，单位是欧姆。它与电感量 L 和交流电频率 f 的关系为 XL=2π fL 
3、品质因素 Q 
品质因素 Q 是表示线圈质量的一个物理量，Q 为感抗 XL 与其等效的电阻的比值，即：
Q=XL/R 
线圈的 Q 值愈高，回路的损耗愈小。线圈的 Q 值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的 Q 值通常为几十到几百。
4、分布电容
线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的 Q 值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。


STM32F413ZG基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

它由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F413ZG属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

STM32F413ZG带DSP和FPU，具有1 MB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。

STM32F413ZGT6具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。




STM32F413ZGT6参数
料号 STM32F413ZGT6
特性 带DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、100 MHz CPU、ART加速器和DFSDM
状态 Active
封装 LQFP 144 20x20x1.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 100
程序存储器大小 (kB) 1024
双组闪存 false
数据RAM大小(kB) 320
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 16
D/A转换器 2
输入/输出端数量 114
显示控制器 -
CAN接口数量 3
I2C接口数量 3
SPI接口数量 5
I2S接口数量 5
USART接口数量 4
UART接口数量 6
存储器扩展接口 FSMC,Quad SPI
USB类型 USB OTG FS
加密技术 -
TRNG true
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.1
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 112
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

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GD32H755IIT6
GD32H755XIH3
GD32H755XIH6
GD32H755ZIT3
GD32H755ZIT6
GD32H757AII6
GD32H757BIT6
GD32H757IIT6
GD32H757XIH6
GD32H757ZIY6
GD32H7A3AGH6
GD32H7A3AGI6
GD32H7A3AII6
GD32H7A3IGT6
STM32F413ZGT6
GD32H7A3III6
GD32H7A3IIT6
GD32H7A3LGH6
GD32H7A3LIH6
GD32H7A3NGH6
GD32H7A3NIY6
GD32H7A3RGT6
GD32H7A3RIT6
GD32H7A3VGH6
GD32H7A3VGT6
GD32H7A3VIH6
GD32H7A3VIT6
GD32H7A3ZGT6
GD32H7A3ZIT6
GD32H7B0ABI6
GD32H7B0IBI6

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