FDP51N25  ：标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 250V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 51A
Rds（）@ ID，VGS 60 mOhm @ 25.5A, 10V
VGS（TH）（）@ Id 5V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 70nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 3410pF @ 25V
功率 - 320W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
包装 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
漏源电压 250 V
连续漏极电流 51 A
RDS -于 60@10V mOhm
门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 62 ns
典型上升时间 465 ns
典型关闭延迟时间 98 ns
典型下降时间 130 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
工作温度 150
标准包装名称 TO-220
工作温度 -55
渠道类型 N
产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等

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