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详细介绍：

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列NexFET™规格FET 

类型N

 通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）124A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）5.3 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）61nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）4280pF @ 20V

FET 功能-功率耗散（值）96W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列NexFET™规格FET

类型N

通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）124A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）5.3 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）61nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）4280pF @ 20V

FET 功能-功率耗散（值）96W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

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类型N

通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）124A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）5.3 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）61nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）4280pF @ 20V

FET 功能-功率耗散（值）96W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

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类型：原厂制造商

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86755-89552255

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18938936909

联系人：吴生/董小姐

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