STO23
2SC1623 L6
锗(Ge)
长电
ZYD-060
开关
企业名：深圳臻晔达电子科技有限公司
类型：生产加工
电话： 0755-25081563
联系人：欧阳丽凤
地址：广东深圳深圳市福田区福庆街庆福园1105
半导体三*管又称“晶体三*管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电*引线，分别叫基*B、发射*E和集电*C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
主要参数
特征频率fT 当f= fT时，三*管*失去电流放大功能。如果工作频率大于fT，电路将不正常工作。
工作电压/电流 用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE 电流放大倍数。
VCEO 集电*发射*反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。
PCM *大允许耗散功率。
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