本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道，P沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：4 A
Rds漏源导通电阻：80毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：16.7 nC
Pd-功率耗散：1.4 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N通道，1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7309TRPBF SP001554164
单位重量：540毫克

HEXFETB功率MOSFETGeneration V技术在

ch P-chDual N和P通道MosfetS1RD1Surface 

mount g1 BEB d1通道内电阻低，带卷30v 

30VELL d2动态dv/dt比率快速切换g2 CL0.0500.109

俯视图说明来自国际整流器的第h代HEXFET利用先进

的处理技术实现每个硅区域的电阻。这种优点，

加上快速的开关速度和加固的器件设计，

HEXFET功率mosfet是众所周知的，为设计师提供了一个非常高效的设备，

可用于多种应用。0-8美元已通过定制的引线框架进行了修改，

以增强热特性和多个模具的性能，使其成为各种电源应用的理想选择。

通过这些改进，可以在anSo-8应用程序中使用多个设备，大大减少了板空间。

该封装是为rapor相位、红外或波峰焊接技术而设计的。

功耗大于0。8W在典型的PCB安装应用中是可能的额定值SPAAM 

eterMaxUnitsN信道P通道[D Q TA=25%C 10秒脉冲漏极电流，Vos e 10v4。

73.5IL O TA=25，C连续漏极电流。Vos e 10V4.03.0，@TA=70 C连续漏极电流。

Vos 10V3.22.4脉冲漏极电流OPo@TA=25C功耗（PCB安装1.4线性降额因数

（PCB安装0.011W/CGate至电源电压T 20VYdtPeak二极管恢复d/在a69-6.0V/n

结和存储温度范围T55至+150C热阻参数MaxUnitsFunction至amb。

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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