本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：6.2 A
Rds漏源导通电阻：70毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：53 nC
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRF7241TRPBF SP001563432
单位重量：540毫克

特征

●风口技术
●超低导通电阻
●P沟道MOSFET
●有卷带包装
●无铅
描述
来自国际整流器公司的新型沟槽HEXFET®

功率MOSFET利用先进的处理技术来实现

每硅面积的极低导通电阻。 这项优势与

HEXFET功率MSFET众所周知的坚固耐用

的器件设计相结合，为设计人员提供了一

种非常高效且可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。
额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain- Source Voltage	-40	V
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-6.2	A
ID @ TA= 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-4.9
IDM	Pulsed Drain Current CD	-25
PD @TA = 25°C	Power Dissipation CT	2.5	w
PD @TA = 70°C	Power Dissipation CT	1.6
	Linear Derating Factor	20	mW/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
TJ, TSTG	Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

热阻

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJL	Junction-to-Drain Lead	–––	20	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient CT	–––	50

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-28892811

手机：13717085518

联系人：张凯

QQ：

微信：

邮箱：szksy82@126.com

地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼