肖特基二*管—*R10150*
1, 概述与特点
多层金-半硅势垒结构,多数载流子导电;
低功耗,*率;
用于低压高频逆变电路,续流电路和保护电路;
带过压(硼)保护环;
封装型式: TO-220;
双管芯结构.
2, *限值
2.1 *限值:(除其他标注外Tamb = 25℃)
参数 *号 数值 单位
*大反向重复峰值电压 VRRM 150 V
反向峰值工作电压 VRWM 150 V
*大直流阻断电压 VDC 150 V
Tamb = 105℃ 整个器件*大正向平均整流电流 IF(*) 10 A
正向峰值浪涌电流(额定负载8.3ms半正弦波
按JEDEC 方法)
IFSM 100 A
反向重复峰值浪涌电流
Tp = 2.0μs, 1KHZ
IR 0.2 mA
*大结电容 0V,1MHz CJ (Max) 300 pF
工作结温 TJ -65～ 175 ℃
储存温度范围 TSTG -65～ 175 ℃
2.2,电性能(除其他标注外Tamb = 25°C)
参数 *号 数值 单位
*大正向瞬态峰值压降 双管芯单个器件
TF=5A, Tamb=25℃
VF 0.8 V
*大反向瞬态电流 Tamb= 25°C IR 0.2 mA
TO-220
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1:阳*
2:阴*
3:阳*

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