AOD3N50场效应管规格:

造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

描述：MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：30 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：650pF @ 20V

功率 - 值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC

AOD3N50场效应管采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。

场效应管应用领域:

1：工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

2：新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

3：交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车

4：绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器AOD3N50场效应管

企业名：深圳市创芯联盈电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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