整流管
否
MIC
1N4007
硅(Si)
1000V
DO-41
75(℃)
1A
2
1A
*
类型:生产加工
电话: 0755-83682017
联系人:武鑫
地址:广东深圳赛格广场1楼1A137档/深圳市福田区新亚洲2期1楼N1C478室
∟ 整流二极管(9)∟ 稳压二极管(13)∟ 快/超快/特快恢复二极管(38)∟ 瞬态(变)抑制二极管(195)∟ 肖特基二极管(6)∟ 其他二极管(9)
整流二*管
rectifier diode
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳*和阴*两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成*的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二*管*的单向导电性,其伏安特性和电路*号如图2所示。整流二*管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二*管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二*管*高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二*管主要用于各种低频半波整流电路,如需*全波整流需连成整流桥使用。
选用整流二*管时,主要应考虑其*大整流电流、*大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
批量供应全系列整流二*管,品质优良,供货稳定,欢迎洽谈!
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