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NCE40TD120WT 场效应管 IGBT/1200V/40A

NCE40TD120WT 场效应管 IGBT/1200V/40A
NCE40TD120WT 场效应管 IGBT/1200V/40A
  • 型号/规格:

    NCE40TD120WT

  • 品牌/商标:

    新洁能

  • 封装形式:

    TO-247

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    散装

  • 功率特征:

    大功率

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金牌会员 第 13
  • 企业名:深圳市新迅和电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 075527839558

    手机:18820461190

    联系人:黄小姐

    QQ: QQ:103889969

    微信:

    邮箱:103889969@qq.com

    地址:广东深圳深圳市宝安区西乡宝民二路臣田伟信达大楼7楼711

商品信息 更新时间:2022-12-09



MOS场效应管参数

    型号/规格: NCE40TD120WT
   品牌/商标:新洁能
   封装形式: TO-247
   环保类别: 无铅环保型
   安装方式:贴片式和直插式
   包装方式:  卷带编带和散装
   功率特征:小功率


  
MOS场效应管电源开关电路
   在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电  
流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态。

 当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中,从而形成电流,使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。 (新洁能MOS场效应管原装现货)



深圳市新迅和电子有限公司以诚信的原则,以“顾客至上、互

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着20年资深应用工程师,有着丰富的应用经验,可为客户提供电源方面意见,以

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的企业理念,努力为客户提供优质、廉价、全面、快捷、安全的供货渠道。












  



联系方式

企业名:深圳市新迅和电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 075527839558

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联系人:黄小姐

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