NT5TU64M16HG-BE NANYA（南亚） 原厂原装

生产商：NANYA（南亚）

规格型号：NT5TU64M16HG-BE

英文名称：DDR2 SDRAM

中文名称：二代双倍数据率同步动态随机存储器

存储格式：DRAM

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-

原厂包装：托盘

零件状态：批量生产

产品用途：汽车电子，台式电脑，服务器，游戏机，物联网设备，便携式电脑，智能电视，网络通信，人工智能，虚拟现实，增强现实，移动通信，工业控制，仪器仪表，安防监控，移动终端。我司供应的产品包含NANYA（南亚）的DRAM,NAND,NOR闪存,嵌入式存储eMMC，eMCP等全系列存储产品。

DDR2

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

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