VDD=VDDQ=1.2V _ 60mV
s VPP 6 n M6
s片上、内部、可调VREFDQ生成
s 1.2V伪漏极输入/输出
s TC温度范围内8192次循环的刷新时间：
-40℃至85℃下的n为64ms
n在>85℃至95℃时为32ms
在>95?C至105?C的温度范围内为16ms
s 16家内部银行（x4，x8）：4组，每组4家银行
s 8家内部银行（x16）：2组，每组4家银行
s 8n位预取架构
s可编程数据选通前导码
s数据选通前导训练
s命令/地址延迟（CAL）
多用途寄存器读写功能
s写入水平
s自刷新模式
s低功耗自动自刷新（LPASR）
s温度控制刷新（TCR）
s细粒度刷新
s自刷新中止
szui大节能
s输出驱动器校准
s标称、停车和动态模内终止
（ODT）
s数据总线的数据总线反转（DBI）
s命令/地址（CA）奇偶校验
s数据总线写循环冗余校验（CRC）
s每DRAM可寻址性
s连接性测试
符合JEDEC JESD-79-4标准
s sPPR和hPPR能力
MBIST-PPR支持（模具版本R

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