APW8861 电子元器件 ANPEC/茂达 封装TQFN4x4-32 

Ddr3和ddr4同步降压变换器1.5a ldo

一般的描述
APW8861集成了一个同步降压PWM变换器来生成VDDQ，一个源沉LDO线性调节器来生成VTT。它提供了zui低的总解决方案成本，在系统的空间是一个溢价。
APW8861在PFM或PWM模式下提供出色的瞬态响应和准确的直流电压输出。在脉冲频率模式(PFM)， APW8861提供非常高的效率轻到重负载负载调制开关频率。在TQFN-32封装上，强制PWM模式几乎在恒定频率下工作，以满足低噪声要求。
APW8861配备了jing确的限流，输出欠压和输出过压保护。上电-复位功能监控VCC上的电压，防止上电过程中的错误操作。
LDO的设计目的是为DDR-SDRAM终端提供具有双向输出电流的稳压电压。该器件集成了两个功率晶体管，源电流和汇聚电流可达1.5A。它还包含了限流和热停机保护。
LDO的输出电压跟踪VREF引脚的电压。内部电阻分压器用于为VTTREF和VTT voltage提供VREF的一半电压。VTT的输出电压只需要20mF的陶瓷输出电容来稳定和快速的瞬态响应。S3
S5引脚为VTT (S3状态)提供睡眠状态，为设备提供挂起状态(S4/S5状态)，当S5和S3都被拉低时，设备为VTT和VTTREF提供软关。

特性
Buck控制器(VDDQ)
高输入电压范围4.5V ~ 26V输入
权力
提供可调输出电压0.75V到
3.3 v
集成MOSFETDrivers和Bootstrap Forward
P-CHMOSFET
低静止电流(200uA)
优异的负载瞬态响应
PFM模式增加轻载效率
恒准时控制器方案
- PWM开关频率补偿
模式
-可调开关频率从400kHz到
550kHz PWM模式，直流输出电流
S3和S5引脚控制S0、S3或S4/中的设备
S5状态
电力良好监测
70%欠压保护(UVP)
125%过电压保护(OVP)
可调限流保护
-使用低侧MOSFET的RDS(ON)
TQFN-32 4mmx4mm薄封装
无铅产品(符合RoHS标准)
%2B1.5A LDO部分(VTT)
引信和下沉电流可达1.5A
输出电压的快速瞬态响应
输出陶瓷电容至少支持10mF
MLCC
VTT和VTTREF跟踪在一半的VDDQSNS
内部的分频器
%2B20mV精度的VTT和VTTREF
独立过电流限制(OCL)
热停机保护

应用程序
DDR3和DDR4内存电源
SSTL-2 SSTL-18和HSTL终止

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