APW8765B 电子元器件 ANPEC/茂达 封装VTQFN3x3-12 

高输入电压3.3V / 6A & 5V / 6A同步降压变换器100mA LDO

一般的描述
APW8765B/C是一个6A同步降压转换器，集成30mΩ高侧MOSFET和15mΩ低侧MOSFET。采用恒定准时控制架构设计的APW8765B/C可以降低高电压，以适应IMPV8应用的低压芯片组。
APW8765B/C配备了自动PFM/PWM模式操作。在轻负载时，转换器在PFM模式下工作，以减少开关损耗并提供高效率。在重载时，转换器工作在PWM模式，并在低噪声要求下几乎在恒定频率下工作。
APW8765B/C还具有开机复位、软启动、软停止、欠压、过压、超温、过流、限流等整套保护功能。
该器件采用VTQFN 3x3-12封装，提供了一个非常紧凑的系统解决方案，以zui大限度地减少外部组件和PCB面积。

特性
工作范围宽，从%2B5.5V到%2B23V输入
电压
VIN 4.2V ~ 4.4V上电复位监控
范围
内置100uA低静止电流
支持IOUT = 6A应用
内置PWM和PFM控制方案与COT
体系结构
内置集成引导向前P-CH MOSFET
APW8765B固定开关频率
500千赫
APW8765C固定开关频率
750千赫
APW8765B固定3.3V VOUT REF电压与
%2B 0.6%的准确率
APW8765C固定5.1V VOUT REF电压与
%2B 0.6%的准确率
支持EN引脚超声波模式选择
支持内置固定软启动时间1.65mS
集成30mΩ n通道MOSFET高
边金属氧化物半导体
集成15mΩ n通道MOSFET低
边金属氧化物半导体
内置开漏式POK功能和EN
控制
内置3.3V和5.0 V / 100mA LDO和切换
带PWM输出的MOSFET
UVP设置为VREF的70%，OVP设置为
125%的VREF和热停机
内置过流保护和电流限制
使用高侧MOSFET Rds(on)和保护
低侧MOSFET Rds(on)传感
倒装芯片VTQFN 3x3-12P与无铅和RoHS
兼容的

应用程序
笔记本
图形卡
主板

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