描述

MZ5D5V1H封装在具有500兆瓦的功耗。它们被设计用来提供电压
在空间有限的情况下，监管和保护尤其具有吸引力价格昂贵。

• 标准齐纳击穿电压范围5.1V
• SOD-523包
• 500mW稳态额定功率
• 每个人体模型的3级（>16kV）ESD额定值
• 符合RoHS的瞬态
• 铅饰面：100%亚光锡（锡）
• 安装位置：任意
• 合格回流温度：260℃ 设备符合MSL 1要求
• 纯镀锡：7~17um

石芯电子有限公司代理MILLERSEMI品牌（密勒半导体），供应穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管。

 我们主力市场是ARM架构的智能硬件产品（平板，TWS耳机，手机，穿戴产品）

• 首推MLN1212（兼容SOT723封装）MOS产品/BJT 广泛应用智能硬件行业做信号切换，热阻小，可以支持2A电流，交货好。正三角形PAD分布比DFN1006-3更易贴片而不会侧立偏移。

  
  

• 主推DFN2*2 ,DFN1610 ,DFN1006,DFN0603全系列ESD/TVS/BJT/MOS/SBD 产品。DFN2*2 2mm*2mm*0.5mm,双NMOS/双PMOS 尺寸小散热好功耗低。

  
  

• 主推超小尺寸0201（0.6mm*0.3mm）/0402 ESD器件，节省尺寸，常规容值与低容值，用在耳机上做静电保护。VBUS接口加TVS通过 300V 8/20浪涌测试，保护充电管理芯片，我们可以提供完整的ESD系列产品

  
  

• 主推DFN1006-3 (1.0mm*0.6mm*0.5mm),封装超小尺寸集成ESD 2KV MOSFET,用在耳机上作为信号开关(电平转换），此外还有DFN1006封装NPN/PNP 

  
  

  
  

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