AO4612L场效应管规格：

    FET 类型：N 和 P 沟道

    FET 功能：标准

    漏源电压（Vdss）：60V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.5A (Ta), 3.2A (Ta)

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：56 毫欧 @ 4.5A, 10V, 105 毫欧 @ 3.2A, 10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：540pF @ 30V, 1120pF @ 30V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应三极管的型号命名方法：

    现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

    第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

    

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