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国产贴片三*管ST1

供应国产贴片三*管ST1
供应国产贴片三*管ST1
  • 材料:

    硅(Si)

  • 是否提供加工定制:

  • 应用范围:

    放大

  • 集电*耗散功率PCM:

    0.625(W)

  • *性:

    NPN型

  • 集电*允许电流ICM:

    10(A)

  • 封装形式:

    贴片型

  • 型号/规格:

    S9014

  • 截止频率fT:

    30(MHz)

  • 品牌/商标:

    国产

  • 封装材料:

    塑料封装

普通会员
  • 企业名:游泽钦

    类型:经销商

    电话: 0755-28448854

    联系人:游泽钦

    地址:广东深圳新亚洲电子市场二期

商品信息 更新时间:2014-03-13












C9014 NPN三*管
△主要用途:
作为低频、低噪声前置放大,应用于机、VCD、
DVD、电动玩具等电子产品(与C9015互补)
参数*号测试条件*小值典型值*大值单 位
集电*漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA
发射*漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA
集电*、发射*击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V
发射*、基*击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V
集电*、基*击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V
集电*、发射*饱和压降VCE(sat
)
IC=100mA,IB=10mA 0.25 V
基*、发射*饱和压降VBE(sat
)
IC=100mA,IB=10mA 1.0 V
直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700
HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25
参数*号标称值单位
集电*、基*击穿电压VCBO 60 V
集电*、发射*击穿电压VCEO 50 V
发射*、基*击穿电压VEBO 5 V
集电*电流IC 150 mA
集电*功率PC 625 mW
结温TJ 150 ℃
贮存温TSTG -55-150 ℃
6发射
△电参数(Ta=25℃)
(按HEF1分类)标准分档: B:100-300 C:200-600 D:400-1000
TO-92
1. 发射* E
2. 基 * B
3. 集电* C
B C1 C2 D1 D2 D3
120-200 200-700

联系方式

企业名:游泽钦

类型:经销商

电话: 0755-28448854

联系人:游泽钦

地址:广东深圳新亚洲电子市场二期

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