IR/国际整流器
IRF9620S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIX/混频
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
企业名：陈丽燕
类型：经销商
电话： 0754-86679997
联系人：陈丽燕
地址：广东汕头粤东电子城南三直23号
| 数据列表 | IRF9620 |
| Packaging Information | |
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源*电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） | 3.5A |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） | 1.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 350pF @ 25V |
| 功率 - *大值 | 40W |
| 安装类型 | 表面 |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 包装 | 编带 |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
