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IR场效应管 IRFB4410ZPBF IRFB4410Z 97A100V230W 原装

IR场效应管 IRFB4410ZPBF IRFB4410Z 97A100V230W 原装
IR场效应管 IRFB4410ZPBF IRFB4410Z 97A100V230W 原装
  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFB4410ZPBF IRFB4410Z

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HI-IMP/高输入阻*

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    100V(V)

  • 夹断电压:

    50(V)

  • 跨导:

    10(μS)

  • *间电容:

    4820pF(pF)

普通会员
  • 企业名:彭志毫

    类型:经销商

    电话: 86 0755 82719303

    手机:13760241411

    联系人:彭志毫

    地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 高科德交易中心12318

商品信息

标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
50
分离式半导体产品
FET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
100V
97A
9 毫欧 @ 58A, 10V
4V @ 150µA
120nC @ 10V
4820pF @ 50V
230W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管件

深圳

科顺龙电子

INTERNATIONAL RE*IFIER - IRFB4410ZPBF - 场效应管 MOSFET N 100V TO-220AB

 

 


          晶体管*性:ñ频道

  • 电流, Id 连续:97A
  • 电压, Vds *大:100V
  • 在电阻RDS(上):9mohm
  • 电??? @ Rds测量:20V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:230W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd:230W
  • 功耗:230mW
  • 器件标号:4410
  • 封装类型:TO-220AB
  • 栅*电荷 Qg N沟道:83nC
  • 漏*电流, Id *大值:96A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs *高:4V
  • 电流, Idm 脉冲:390A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th :2V
  • 阈值电压, Vgs th *高:4V



联系方式

企业名:彭志毫

类型:经销商

电话: 86 0755 82719303

手机:13760241411

联系人:彭志毫

地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 高科德交易中心12318

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