N沟MOSF管IRFZ34VS

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRFZ34VS
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
开启电压：
60（V）
夹断电压：
4（V）
跨导：
0（μS）
*间电容：
0（pF）
低频噪声系数：
0（dB）
漏*电流：
0（mA）
耗散功率：
0（mW）

发布询价信息

普通会员

企业名：深圳市金广顺科技有限公司

类型：经销商

电话：

联系人：孔维年

地址：广东深圳中国广东深圳市南山区创业路中兴工业城10栋二楼8228

产品分类

电源IC(9)
∟ LED驱动IC(7)∟ 稳压IC(2)
二极管(113)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(3)∟ 整流二极管(5)∟ 变容二极管(1)∟ 瞬态(变)抑制二极管(15)∟ 肖特基二极管(16)
三极管(82)
∟ 功率三极管(3)∟ 低噪声三极管(22)∟ 复合(达林顿)三极管(7)∟ 带阻三极管(1)
场效应管MOSFET(81)
∟ MOSFET(51)∟ 结型场效应管(1)
单片机(1)
放电管(1)
∟ 其他放电管(1)
光电子/光纤/激光(6)
∟ 光电光耦合器(光耦)(6)
LED(1)
∟ 其它LED相关产品（服务）(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2014-04-30

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装

IRFZ34VSPbF, IRFZ34VLPbF

D2PAK, TO-263

IR Hexfet D2PAK

50

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

28 毫欧 @ 18A, 10V

60V

30A