半导体三*管又称“晶体三*管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电*引线，分别叫基*B、发射*E和集电*C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。

    三*管工作状态有三种，放大、饱和、截止。其中又以放大状态*为复杂，主要用于小信号的放大领域，常用的三*管放大电路形式有：共发射*放大电路，共集电*放大电路，共基*放大电路三种，其*集电路用于电流放大（功率放大），共基电路用于高频放大，共射电路用于低频放大。

    三*管放大电路包含静态参数和动态参数两大类，静态参数又称静态工作点，是*三*管正常工作的基础，意义是在输入条件为*时，晶体管的基*电流Ib，集电*电流Ic，be*之间的电压Ubc，管压降Uceq。当有输入信号时，晶体管呈现的输入电阻Ri，输出电阻Ro，电压增益Au等参数被称为动态参数。另外还有一类参数被称为放大电路频率特性参数，主要包括放大电路的低频端截止频率，高频端截止频率，通频带，增益平坦度，幅（度）频（率）特性曲线等。

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