IR/国际整流器
IRLML6401TR
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
类型：经销商
电话：
联系人：苏志远
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 深圳福田区华强北振华路航苑大厦东座902
∟ 结型场效应管(63)
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏*至源*电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 4.3A
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 50 毫欧 @ 4.3A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（*大） 950mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 830pF @ 10V
功率 - *大 1.3W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 Micro3™/SOT-23
包装 带卷 (TR)
其它名称 IRLML6401GTRPBF-ND
IRLML6401GTRPBFTR
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
