IR/国际整流器
IRFR1205
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
企业名：结型场效应管 陈丽燕
类型：经销商
电话：
联系人：陈丽燕
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 陈店
∟ 结型场效应管(77)
(以下参数只供参考）
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单路
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫欧 @ 26A, 10V
漏*至源*电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：44A
Id 时的 Vgs(th)（*大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:65nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss):1300pF @ 25V
功率 - *大:107W
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
