FQPF4N90C
FAIRCHILD(飞兆)
TO-220
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
企业名:深圳市波光电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
15817467967
13302940566
手机:15817467967
13302940566
联系人:马先生/马先生
微信:
邮箱:383204303@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强北路宝华大厦1701
FSC仙童 FQPF4N90C 场效应管
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)900V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)4A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值)5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值)22nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)()@ Vgs10V
Vgs(值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)960pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)() @ Vds25V
FET 功能 -
功率耗散(值)47W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值)4.2 欧姆 @ 2A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装TO-220F
封装/外壳TO-220-3 整包
FSC仙童 FQPF4N90C MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F
描述
FQP4N90C / FQPF4N90C - N沟道QFET®MOSFET
这个N沟道增强型功率MOSFET是
采用飞兆半导体专有平面生产
条纹和DMOS技术。 这款先进的MOSFET
技术特别适合减少在线状态
阻力,并提供卓越的开关性能
和高雪崩能量强度。 这些设备是
适用于开关模式电源,有功功率
因子校正(PFC)和电子灯镇流器。
场效应管 MOS 220F
特征 效应MOS管 效应MOS管效应MOS管效应MOS管
•
4.0 A,900 V,R DS(on)= 4.2Ω()@ V GS = 10 V,
我D = 2.0 A.
•低栅极电荷(典型值17 nC)
•低Crss(典型值5.6 pF)
•100%经过雪崩测试
企业名:深圳市波光电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
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